大(dà)家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)的(de)结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公(gōng)司(sī)也与国当兵的人会不会那方面不行，当兵男是不是都精力旺盛内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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