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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照事出有因必有妖下一句怎么回，事出反常必有妖,人若反常必有刀,言不由衷定有鬼《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　事出有因必有妖下一句怎么回，事出反常必有妖,人若反常必有刀,言不由衷定有鬼　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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