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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购金9的算术平方根是3还是正负3，根号9的算术平方根是多少额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。9的算术平方根是3还是正负3，根号9的算术平方根是多少3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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